华为小米拟推LLM内存设计，带宽提升1.5倍功耗降50%。高通联手长鑫存储，苹果备战iPhone 20系列，手机AI算力将迎来大爆发。
手机内部那点儿地盘，你也知道，就那么大。硬塞高性能HBM进去？那简直是做梦。散热更是个大坑，厂商们早就被这问题折磨得头疼不已。
但AI时代这一来，端侧计算的需求直接爆炸。厂商们也没辙，只能另辟蹊径，找新路子。
说实话，我觉得这事儿挺有意思。据Wccftech报道，华为和小米正计划搞一种叫“LLM”的低延迟大容量DRAM设计。这玩意儿虽然不叫HBM，但思路跟它挺像的。目的也很明确：给SoC和NPU喂饱数据。
效果有多猛？内存带宽预计能提升1.5倍，可功耗却降了50%。这对手机续航和性能来说，简直就是救命稻草。
其实早有苗头了。之前就有风声说，华为在搞手机版HBM。苹果也在备着类似技术，目标直指iPhone 20系列。三星也没闲着，用复杂封装技术研究这玩意儿。
话说回来，两个月前高通和长鑫存储（CXMT）还传出合作消息。高通想搞定制DRAM，提升NPU性能，实现真正的端侧AI运算。虽然细节还不清楚，但方向是很明确的。
你猜怎么着？这些新设计虽然不叫HBM，但核心目标就一个：在手机上榨干AI算力。
如果一切顺利，我们很快就能看到成品。手机AI体验将迎来质变。
FAQ
什么是手机LLM设计？
LLM指低延迟大容量DRAM设计，由华为和小米等厂商推动，旨在替代传统HBM，提升AI运算效率并降低功耗。
高通与长鑫存储合作目的是什么？
双方合作开发定制DRAM，主要为了提升NPU性能，实现更高效的设备端AI运算，减少云端依赖。
苹果会在哪款iPhone上应用类似技术？
据传闻，苹果计划将类似的高带宽内存技术应用于iPhone 20系列，以增强端侧AI处理能力。
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